LED灯珠光衰减对透明屏幕的影响

　　LED透明屏由SMD灯珠制成。LED灯珠的质量直接影响显示屏的质量。LED灯珠的光衰减速度也直接影响透明LED显示屏的使用寿命。LED的长时间工作会导致光衰老，尤其是对于大功率LED，光衰老问题更为严重。在衡量LED的使用寿命时，仅仅以灯的损坏作为LED显示寿命的终点是远远不够的。LED的使用寿命应以LED的光衰减百分比为基础，如5%或10%，这更有意义。

　　光衰减:在给感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也在上升，最终达到“饱和”电位，即最高电位。表面电位会随着时间的推移而下降，一般工作时的电位会低于这个电位，随着时间的推移自然下降，称为“暗衰减”过程。当感光鼓被扫描曝光时，暗区(指未受光部分的光导体表面)的电位仍处于暗衰减过程中;亮区(指受光部分的光导体表面)光导层内载流子密度迅速增加，导电率迅速上升，形成光导电压，电荷迅速消失，光导体表面电位迅速下降。它被称为“光衰减”，最终放缓。

　　光致衰退效应:又称S-W效应。A-Si∶H薄膜经过长时间的强光照射或电流通过，内部会产生缺陷，降低薄膜的使用性能，称为Steabler-Wronski效应。至今，S-W效应的原因仍存在诸多争议，导致衰退的微观机制尚无定论，已成为国内外非晶硅材料研究的热门课题。一般认为，S-W效应是由于光照引起的，在带隙中产生了新的悬挂键缺陷状态(深能级)。这种缺陷状态会影响A-Si∶H薄膜材料费米能级EF的位置，从而改变电子的分布，进而导致光学性能的变化，进而影响电子的复合过程。这些缺陷状态成为电子和空穴的额外复合中心，增加了电子的捕获截面和寿命，直接影响LED透明屏的使用寿命。

　　在A-Si∶H薄膜材料中，Si-H键和类似晶体硅的Si-Si键可以稳定存在，可以更大，不容易被打断。由于A-Si∶H材料结构的混乱，LED软模块改变了一些Si-Si键的键长和键角，使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当，可被外部能量打断，形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构，A-Si∶H薄膜的悬挂键密度就会增加。为了更好地了解S-W效应的机制，控制A-Si∶H膜中的悬挂键，寻找稳定的处理方法和工艺，国内外科学家20多年来不懈努力，提出了大量的物理模型，主要包括弱键断裂(SJT)模型、H玻璃模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、defectpool模型。